SK 하이닉스에서 176단 4D NAND Flash Memory를 발표했습니다.
이번에 발표된 176단 4D 낸드 플래시 메모리는 512Gbit(약64GB) 용량을 지닌 TLC 메모리이며 CTF(Charge Trap Flash), PUC(Peri Under Cell)기술을 결합해 향상된 비트 생산성(높은 원가 경쟁력), 높은 전송속도를 구현했습니다.
기존 3D낸드와 차별성을 지니는 4D낸드의 큰 특징중 하나는 주변부 회로(이미지의 Peri 영역)을 셀 서킷 아래에 배치해 생산효율을 높인 기술(PUC)로 마치 아파트의 주거공간(셀 공간)과 주차장(Peri)공간을 동2차원에 스택구조로 적층한 형태며 적층수가 높아짐에 따른 단점들을 다양한 기술로 해결했습니다. (Peri = Peripheral)
근래에 마이크론(Micron)이 176단 낸드 플레시 메모리를 출시함에 이은 두번째 176단 공정이며 이번 발표를 바탕으로 내년 3분기에 출시될 모바일 라인업에 먼저 적용할 계획입니다.
향후 SK 하이닉스는 176단 공정을 기반으로 1Tbit 플래시도 선보일 예정입니다.
